記憶體大廠旺宏（2337）在3D NAND Flash研發獲得重成果，
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，昨（29）日宣布，
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，最新研發3D NAND記憶晶胞架構的論文入選國際電子元件大會（IEDM），
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，被評選為「亮點論文」，
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，是今年台灣產學研界唯一獲選的廠商，
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，彰顯旺宏在先進記憶體研發實力受到國際高度肯定，
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，也顯示旺宏在業界最關注的3D NAND議題上扮演重要角色。旺宏強調，
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，獨立研發的平坦垂直渠道型電晶體結構（SGVC），
專利歸屬
，相較其他大廠現有技術，以相同的堆疊層數，卻可達到二到三倍的記憶體密度。目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NAND 型快閃記憶體開發，旺宏開發的SGVC新3D NAND Flash只要堆疊16層，記憶體密度即可達到現行閘極環繞型結構 （GAA）所堆疊48效果。此外，由於記憶晶胞為平坦垂直渠道型電晶體結構，可大幅減少幾何效應對於整體電性的敏感度，適合於需要頻繁讀取資料的各式應用，低層數的堆疊也有利提升製程良率.。，