香港商富士通半導體台灣分公司20日宣布，
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，已成功透過矽基板氮化鎵（GaN）功率元件讓伺服器電源供應器達到2.5kW的高輸出功率，
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，並擴大電源供應的增值應用，
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，實現低碳能源社會。該GaN功率元件將於2013年下半年投入量產。
富士通半導體表示，
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，相較於傳統的矽功率元件，
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，GaN功率元件擁有較低導通電阻的特性，
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，可支援高頻率運作。這些特性有助於提高電源供應器的轉換效率，
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，並可縮小體積，
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，該公司計畫將矽基板GaN功率元件商用化，
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，藉由增加矽晶圓直徑達到低成本量產的目標。，